Samsung flash bellekte 30 nanometre dedi

Samsung, sayısal cihazlarda daha fazla bilgi taşınabilmesini sağlayacak yeni flash bellek yongası geliştirdiğini duyurdu. Şirket, 64 Gbit NAND flash bellek yongasında, 30 nanometre teknolojisini kullandığını belirtti.

Müzik çalarlar gibi birçok elektronik cihazda daha fazla bellek alanı yaratılmasını sağlayacak olan bellek yongasının, hesaplama ve sayısal uygulamalarda artan flash bellek ihtiyacı için de önemli bir gelişme olduğu yorumu yapılıyor.Samsung, yonganın üretimine ise 2009 yılında başlamayı planlıyor.

Şirketin şu anda ürettiği flash bellek yongalarının büyük çoğunluğu, 50 nanometre teknolojisi kullanılarak üretiliyor. Geçen yıl 40 nanometre teknolojisine sahip 32 Gbit flash bellek yongasını da duyuran Samsung, bu yonganın üretimine ise 2008 yılında başlayacak.

Teknolatte